WPM2006-6/TR, 20V 3A 1.45W 120mOhm@4.5V,2.8A 1V@250uA P Channel DFN-6L-EP(2x2) MOSFETs
360 шт., срок 6 недель
34 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
21 руб.
от 150 шт. —
17 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 3A 1.45W 120mΩ@4.5V,2.8A 1V@250uA 1PCSPChannel DFN-6L-EP(2x2) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@4.5V, 2.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.45W |
| Type | 1PCSPChannel |
| Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![4N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 4А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4423, Транзистор P-MOSFET 30В 10.9А 2.7Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
