WPM1480-3/TR, 20V 1.4A 110mOhm@4.5V,1A 290mW 600mV@250uA 51pF@10V P Channel 480pF@10V 6.5nC@4.5V -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 MOSFETs
490 шт., срок 7 недель
39 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
24 руб.
от 150 шт. —
20 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 195 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 1.4A 110mΩ@4.5V,1A 290mW 600mV@250uA 1PCSPChannel SOT-323-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 1.4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@4.5V, 1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 480pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 290mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 51pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.5nC@4.5V |
| Type | 1PCSPChannel |
| Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AOD4189, Транзистор P-MOSFET 40В 40A 62.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![AO4441, Транзистор P-MOSFET 60В 4А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
