WNM2020-3/TR, 20V 830mA 320mW 310mOhm@4.5V,550mA 850mV@250uA N Channel SOT-23-3L MOSFETs
3450 шт., срок 6 недель
22 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
14 руб.
от 300 шт. —
11 руб.
от 1000 шт. —
8.71 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 830mA 320mW 310mΩ@4.5V,550mA 850mV@250uA 1PCSNChannel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 6A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Type | 1PCSNChannel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 900mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 380mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 310mО© @ 550mA,4.5V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 850mV @ 250uA |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet WNM2020-3/TR
pdf, 440 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.