WPM1481-6/TR, МОП-Транзистор 12 В 4,3 А 28 мОм при 4,5 В, 5,5 А 1,4 Вт 900 мВ при 250мкА P-канальные МОП-Транзистор DFN-6L (2x2)
1685 шт., срок 6 недель
57 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
37 руб.
от 150 шт. —
30 руб.
от 500 шт. —
24.60 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 285 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
12V 4.3A 28mΩ@4.5V,5.5A 1.4W 900mV@250uA 1PCSPChannel DFN-6L(2x2) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V, 5.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Type | 1PCSPChannel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4.3A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.4W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 28mΩ 5.5A, 4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 900mV 250uA |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet WPM1481-6/TR
pdf, 1057 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6679AZ, Транзистор P-MOSFET 30В 13.5А 2.7Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
