WPT2E33-3/TR, 100nA 30V 3W 100@1A,2V 3A 200mV@2A,200mA PNP +150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT
1405 шт., срок 6 недель
32 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
20 руб.
от 150 шт. —
17 руб.
от 1000 шт. —
13.58 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 3W 100@1A,2V 3A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@2A, 200mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@1A, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
| Maximum DC Collector Current | 3A |
| Pd - Power Dissipation | 3W |
| Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet WPT2E33-3/TR
pdf, 260 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
