2SA1362-GR,LF(T, 100nA 15V 200mW 120@100mA,1V 800mA 120MHz 200mV@400mA,8mA PNP +150°C@(Tj) TO-236-MOD BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2053 шт., срок 7 недель
54 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | -15 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -15 V |
| Maximum DC Collector Current | -800 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum DC Current Gain | 120 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-346(SC-59) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2SA1362-GR,LF
pdf, 186 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
