BFP740H6327, Транзистор биполярный BJT 40нА 4В 160мВт 250@25мА,3В 45мА 44ГГц NPN +150°C@(Tj) SOT-343

Фото 1/3 BFP740H6327, Транзистор биполярный BJT 40нА 4В 160мВт 250@25мА,3В 45мА 44ГГц NPN +150°C@(Tj) SOT-343
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
67 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.47 руб.
от 150 шт.43 руб.
от 500 шт.37.96 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 335 руб.
Номенклатурный номер: 8017625030
Артикул: BFP740H6327

Описание

Описание Транзистор: NPN; SiGe: C; биполярный; HBT,RF; 13В; 45мА; 0,16Вт Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 740 BFP BFP74H6327XT H6327 SP000750414
Категория продукта РЧ биполярные транзисторы
Подкатегория Transistors
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BFP740
Технология Si
Тип продукта RF Bipolar Transistors
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок SOT-343-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage 4.7V
Pd - Power Dissipation 160mW
Transistor Type NPN
Maximum Collector Emitter Voltage 4.2 V
Maximum DC Collector Current 45 mA
Mounting Type Surface Mount
Package Type TSFP-4-1
Вес, г 0.006

Техническая документация

Datasheet
pdf, 627 КБ
Datasheet BFP740H6327
pdf, 658 КБ
Datasheet BFP740H6327XTSA1
pdf, 1129 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов