ZXMN3A02X8TA, 30V 5.3A 1.1W 25mOhm@10V,12A 1V@250uA N Channel MSOP-8-2.8mm MOSFETs

ZXMN3A02X8TA, 30V 5.3A 1.1W 25mOhm@10V,12A 1V@250uA N Channel MSOP-8-2.8mm MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
610 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.
Номенклатурный номер: 8017625900
Артикул: ZXMN3A02X8TA
Бренд: DIODES INC.

Описание

МОП-транзистор 30V N Chnl UMOS

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 6.7 A
Pd - рассеивание мощности 1.1 W
Qg - заряд затвора 26.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 5.5 ns
Время спада 5.5 ns
Высота 0.95 mm
Длина 3.1 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single Quad Drain Triple Source
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 1000
Серия ZXMN3A0
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 35 ns
Типичное время задержки при включении 3.9 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок MSOP-8
Ширина 3.1 mm
Вес, г 0.06

Техническая документация

Datasheet ZXMN3A02X8TA
pdf, 456 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов