ZXMN3A02X8TA, 30V 5.3A 1.1W 25mOhm@10V,12A 1V@250uA N Channel MSOP-8-2.8mm MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
610 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Описание
МОП-транзистор 30V N Chnl UMOS
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6.7 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
Qg - заряд затвора | 26.8 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 35 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5.5 ns |
Время спада | 5.5 ns |
Высота | 0.95 mm |
Длина | 3.1 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | ZXMN3A0 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 35 ns |
Типичное время задержки при включении | 3.9 ns |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | MSOP-8 |
Ширина | 3.1 mm |
Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet ZXMN3A02X8TA
pdf, 456 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов