SVF12N65F(S), TO-220F-3 MOSFETs
11099 шт., срок 6 недель
200 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 50 шт. —
109 руб.
от 100 шт. —
100.74 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | - |
| Manufacturer | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Package / Case | TO-220F |
| Packaging | Tube-packed |
| Вес, г | 2.26 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 588 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
