BSS84AKM,315, 50V 230mA 4.5Ohm@10V,100mA 340mW 1.6V@250uA 1.3pF@25V P Channel 24pF@25V 0.26nC@5V -55°C~+150°C@(Tj) DFN1006-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3780 шт., срок 7 недель
30 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
18 руб.
от 150 шт. —
14 руб.
от 500 шт. —
12.29 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор P-CH -50 V -230 mA 50V 230mA
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 230 mA |
Pd - рассеивание мощности | 340 mW |
Qg - заряд затвора | 350 pC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 150 mS |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | DFN1006-3 |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet BSS84AKM.315
pdf, 1398 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.