PBSS5630PA,115, 100nA 30V 1.4W 155@6A,2V 6A 80MHz 235mV@6A,300mA PNP +150°C@(Tj) SOT-1061 BIpolar TransIstors - BJT

PBSS5630PA,115, 100nA 30V 1.4W 155@6A,2V 6A 80MHz 235mV@6A,300mA PNP +150°C@(Tj) SOT-1061 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2469 шт., срок 7 недель
160 руб.
от 10 шт.110 руб.
от 30 шт.91 руб.
от 100 шт.79.98 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8017633310
Артикул: PBSS5630PA,115
Бренд: Nexperia B.V.

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 30В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 110hFE
DC Усиление Тока hFE 110hFE
Power Dissipation 500мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора PNP
Стиль Корпуса Транзистора HUSON
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 80МГц
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 470 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.