2PD1820AS,115, 10nA 50V 200mW 170@150mA,10V 500mA 150MHz 600mV@300mA,30mA NPN +150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

2590 шт., срок 7 недель
31 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.19 руб.
от 150 шт.16 руб.
от 500 шт.13.35 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 155 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8017633584
Артикул: 2PD1820AS,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

50V 200mW 170@150mA,10V 500mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 500mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 10nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 600mV@300mA, 30mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 170@150mA, 10V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 200mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 150MHz
Base Product Number 2PD1820 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 170 @ 150mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 150MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package SOT-323
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet 2PD1820AS,115
pdf, 282 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.