GT045N10M, 100V 139A 4.1mOhm@10V,20A 156W 2V@250uA 15pF@50V N Channel 6124pF@50V 101.6nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TO-263-3 MOSFETs ROHS
20 шт., срок 7 недель
240 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
100V 139A 4.1mΩ@10V,20A 156W 2V@250uA 1PCSNChannel TO-263 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 139A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.1mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.124nF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 156W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF@50V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 101.6nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 2.29 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
