MJ15016G, TO-204-2 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 480 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 480 руб.
Описание
Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +200 °C |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Number of Elements per Chip | 1 |
Length | 39.37mm |
Maximum Collector Base Voltage | 200 V |
Transistor Configuration | Single |
Brand | ON Semiconductor |
Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V |
Package Type | TO-204AA |
Maximum Power Dissipation | 180 W |
Mounting Type | Through Hole |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Width | 26.67mm |
Maximum DC Collector Current | 15 A |
Transistor Type | PNP |
Height | 8.51mm |
Pin Count | 2 |
Dimensions | 39.37 x 26.67 x 8.51mm |
Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
Minimum DC Current Gain | 5 |
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 15(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 15 A |
Collector-Base Voltage | 200(V) |
Collector-Emitter Voltage | 120(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 10 |
DC Current Gain (Min) | 10 |
Emitter-Base Voltage | 7(V) |
Frequency | 18(MHz) |
Frequency (Max) | 18 MHz |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 200C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Packaging | Tray |
Power Dissipation | 115(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | PNP |
Вес, г | 16.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 179 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов