MJ15016G, TO-204-2 Bipolar Transistors - BJT

MJ15016G, TO-204-2 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 480 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 480 руб.
Номенклатурный номер: 8017646466
Артикул: MJ15016G

Описание

Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +200 °C
Maximum Operating Frequency 1 MHz
Number of Elements per Chip 1
Length 39.37mm
Maximum Collector Base Voltage 200 V
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 120 V
Package Type TO-204AA
Maximum Power Dissipation 180 W
Mounting Type Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 °C
Width 26.67mm
Maximum DC Collector Current 15 A
Transistor Type PNP
Height 8.51mm
Pin Count 2
Dimensions 39.37 x 26.67 x 8.51mm
Maximum Emitter Base Voltage 7 V
Minimum DC Current Gain 5
Category Bipolar Power
Collector Current (DC) 15(A)
Collector Current (DC) (Max) 15 A
Collector-Base Voltage 200(V)
Collector-Emitter Voltage 120(V)
Configuration Single
DC Current Gain 10
DC Current Gain (Min) 10
Emitter-Base Voltage 7(V)
Frequency 18(MHz)
Frequency (Max) 18 MHz
Mounting Through Hole
Number of Elements 1
Operating Temp Range -65C to 200C
Operating Temperature Classification Military
Output Power Not Required(W)
Packaging Tray
Power Dissipation 115(W)
Rad Hardened No
Transistor Polarity PNP
Вес, г 16.5

Техническая документация

Документация
pdf, 179 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов