IPSA70R450P7SAKMA1, 700V 10A 450mOhm@2.3A,10V 50W 3.5V@120uA N Channel 424pF@400V 13.1nC@400V -40°C~+150°C@(Tj) TO-251-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
МОП-транзистор CONSUMER
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Qg - заряд затвора | 13.1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 370 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 6.5 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Другие названия товара № | IPSA70R450P7S SP001664824 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PG-TO-251-3 |
| Base Product Number | IPSA70 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1nC @ 400V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 424pF @ 400V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 2.3A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | CoolMOSв„ў P7 -> |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.45 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 0.29 |
Техническая документация
Datasheet IPSA70R450P7SAKMA1
pdf, 884 КБ
Datasheet IPSA70R450P7SAKMA1
pdf, 1049 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
