DMC2710UDW-7, TSSOP-6 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
45 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
28 руб.
от 150 шт. —
23 руб.
от 500 шт. —
18.62 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 225 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 174 ns, 445 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 750 mA, 600 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 290 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 600 pC, 700 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms, 750 mOhms |
| Rise Time: | 3.1 ns, 2.8 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 386 ns, 1247 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.9 ns, 5.3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.27 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 436 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
