TPH8R80ANH,L1Q(M, SOP-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1535 шт., срок 6 недель
350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0074Ом |
Power Dissipation | 61Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 59А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
Вес, г | 0.16 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.