BSP52T1G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 800мА, 1Вт, SOT223-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 65 шт. —
38 руб.
от 130 шт. —
35 руб.
от 255 шт. —
32.24 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Описание Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 800мА, 1Вт, SOT223-4 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.9 V |
Maximum Collector Base Voltage | 90 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.3 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
Maximum Continuous Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum DC Current Gain | 2000 |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223 |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Width | 3.5mm |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 189 КБ
Datasheet BSP52T1G
pdf, 90 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов