SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1,3А, 1,1Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
64 руб.
Кратность заказа 3 шт.
от 216 шт. —
53 руб.
от 429 шт. —
50 руб.
от 858 шт. —
45.58 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 192 руб.
Посмотреть аналоги4
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1,3А, 1,1Вт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 1.2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 345 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.7 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.05 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов