DG20X06T1, Транзистор: IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
52 шт., срок 7 недель
570 руб.
от 5 шт. —
470 руб.
от 25 шт. —
364 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO220 |
| Collector current | 29A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 0.14µC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 313W |
| Pulsed collector current | 60A |
| Turn-off time | 200ns |
| Turn-on time | 26ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 2.02 |
Техническая документация
Datasheet DG20X06T1
pdf, 339 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![IHW20N135R5XKSA1 (H20PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 20А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![MSG50T120FQW, Транзистор IGBT 1200В 50А 320Вт [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
![HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
