SI2309CDS-T1-GE3, транзистор P-канал -60В -1,2А SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
82 руб.
от 100 шт. —
44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 82 руб.
Посмотреть аналоги4
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1,3А, 1,1Вт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Корпус | sot-23 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.2 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 345 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 1 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.7 nC @ 4.5 V | |
| Width | 1.4mm | |
| Вес, г | 0.05 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
