SPP04N60C3XKSA1, Транзистор N-канал 650В 4.5А TO-220FP
![Фото 1/3 SPP04N60C3XKSA1, Транзистор N-канал 650В 4.5А TO-220FP](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC012151638.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330091.jpg)
150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 4,5A 50Вт 0,95Ом TO220
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Корпус | TO-220FP | |
Brand | Infineon Technologies | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 500 | |
Fall Time | 9.5 ns | |
Forward Transconductance - Min | 4.4 S | |
Height | 15.65 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 4.5 A | |
Length | 10 mm | |
Manufacturer | Infineon | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Part # Aliases | SP000681024 SPP04N60C3 | |
Pd - Power Dissipation | 50 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 19 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 850 mOhms | |
Rise Time | 2.5 ns | |
RoHS | Details | |
Series | CoolMOS C3 | |
Technology | Si | |
Tradename | CoolMOS | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 58.5 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 6 ns | |
Unit Weight | 0.211644 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | |
Width | 4.4 mm | |
Вес, г | 2.78 |
Техническая документация
Datasheet SPP04N60C3XKSA1
pdf, 588 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары