RGT00TS65DGC13, IGBT Transistors TO247GE 650V TRNCH 50A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
565 шт., срок 6-8 недель
3 030 руб.
от 10 шт. —
2 540 руб.
от 25 шт. —
2 360 руб.
от 50 шт. —
2 311.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 030 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
The ROHM RGT series is field stop trench IGBT have built in very fast and soft recovery FRD system which are available in TO-247GE package and can be used in general inverter, UPS, power conditioner and welder applications.
Технические параметры
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 85 |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 2.77 mW |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247GE |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGT00TS65DGC13
pdf, 4694 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
