AIKB30N65DF5ATMA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 420 руб.
от 10 шт. —
1 160 руб.
от 25 шт. —
1 060 руб.
от 100 шт. —
851.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 420 руб.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 55А |
Power Dissipation | 188Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet AIKB30N65DF5ATMA1
pdf, 1602 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов