W632GU6NB-12 TR, DRAM 2Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 800MHzT&R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
665 шт., срок 6-8 недель
1 470 руб.
от 10 шт. —
1 240 руб.
от 100 шт. —
975 руб.
от 250 шт. —
904.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 470 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
SDRAM - ИС памяти DDR3L 2 Гб (128 МБ x 16) Параллельный 800 МГц 20 нс 96-VFBGA (7,5 x 13)
Технические параметры
Access Time | 20ns |
Clock Frequency | 800MHz |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0036 |
Memory Format | DRAM |
Memory Interface | Parallel |
Memory Size | 2Gb (128M x 16) |
Memory Type | Volatile |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 0В°C ~ 95В°C (TC) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 96-VFBGA |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 96-VFBGA (7.5x13) |
Technology | SDRAM - DDR3L |
Voltage - Supply | 1.283V ~ 1.45V |
Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
Техническая документация
Datasheet W632GU6NB-12 TR
pdf, 6065 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.