DMN3023L-7, MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

79 руб.

от 10 шт. — 60 руб.

от 100 шт. — 40 руб.

от 1000 шт. — 26.20 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 79 руб.

Номенклатурный номер: 8018730635

Артикул: DMN3023L-7

Бренд: DIODES INC.

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 5,8А, 0,6Вт, SOT23

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	6.2A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	900mW
Rds On - Drain-Source Resistance	25mО© @ 4A,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30V
Vgs - Gate-Source Voltage	1.8V @ 250uA
Case	SOT23
Drain current	5.8A
Drain-source voltage	30V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	DIODES INCORPORATED
Mounting	SMD
On-state resistance	28mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	0.6W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	1