ISZ034N06LM5ATMA1, N-Channel MOSFET, 288 A, 60 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 ISZ034N06LM5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
483 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 6 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon 60 V power MOSFET ISZ034N06LM5 comprises a perfect fit for optimized efficiency and power density solutions such as synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS), for telecom bricks and server applications, as well as portable chargers.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 288 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0034 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Pin Count | 8 |
| Series | ISC |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet ISZ034N06LM5ATMA1
pdf, 1193 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
