2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
77 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 385 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Forward Transconductance - Min: | 0.1 S |
Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-92-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases: | 2N7000_D26Z |
Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
Series: | 2N7000 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 9 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -40 V, +40 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 400 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Width | 4.19mm |
Forward Diode Voltage | 1.5V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Вес, г | 0.515 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 285 КБ
Datasheet 2N7000
pdf, 757 КБ
Datasheet 2N7002,215
pdf, 109 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов