BT168G,112, Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А

Фото 1/2 BT168G,112, Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
31 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
44 руб.
от 30 шт.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 44 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8018779496
Артикул: BT168G,112

Описание

Описание Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А

Технические параметры

Brand: WeEn Semiconductors
Breakover Current IBO Max: 9 A
Current Rating: 500 mA
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 5000
Gate Trigger Current - Igt: 50 uA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 0.5 V
Holding Current Ih Max: 2 mA
Manufacturer: WeEn Semiconductors
Maximum Gate Peak Inverse Voltage: 5 V
Maximum Operating Temperature: +125 C
Mounting Style: Through Hole
Non Repetitive On-State Current: 8 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 50 uA
On-State RMS Current - It RMS: 800 mA
Package / Case: SOT-54-3
Part # Aliases: 934042490112
Product Category: SCRs
Product Type: SCRs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 600 V
Subcategory: Thyristors
Type: SCR
Вес, г 0.35

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Тиристоры»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.