BSC057N08NS3GATMA1, TDSON-8/ SuperSO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 2 шт. —
160 руб.
от 8 шт. —
147 руб.
от 14 шт. —
141.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
The BSC057N08NS3 G is a 80V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
• Dual sided cooling
• Low parasitic inductance
• Low profile (<0.7mm)
• Reduced switching and conduction losses
• Very low on-resistance RDS(on)
• Superior thermal resistance
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0047Ом |
| Power Dissipation | 114Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 114Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0047Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Fall Time | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min | 40 S |
| Height | 1.27 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Length | 5.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSC057N08NS3 BSC057N08NS3GXT G SP000447542 |
| Pd - Power Dissipation | 114 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 56 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.7 mOhms |
| Rise Time | 14 ns |
| RoHS | Details |
| Series | OptiMOS 3 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Width | 5.15 mm |
Техническая документация
Datasheet BSC057N08NS3GATMA1
pdf, 587 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
