BC846S, Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-363, 65V, 100mA, NPN

Фото 1/3 BC846S, Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-363, 65V, 100mA, NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10289 шт., срок 7-9 недель
62 руб.
от 10 шт.45 руб.
от 100 шт.36 руб.
от 500 шт.27.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 62 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8019808262
Артикул: BC846S

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзисторы и сборки биполярные SOT363 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand: Diotec Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 650 mV
Configuration: Dual
DC Current Gain hFE Max: 270
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Diotec Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-363
Pd - Power Dissipation: 250 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: BCXXX
Subcategory: Transistors
Tradename: BC846S
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 363 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.