IDM05G120C5XTMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 620 руб.
от 2 шт. —
1 530 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 620 руб.
Описание
Электроэлемент
SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 22.2A, TO-252; Product Range:thinQ 5G 1200V Series; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.2kV; Continuous Forward Current If:22.2A; Total Capacitive Charge Qc:24nC;
Технические параметры
| Automotive | No |
| Maximum Continuous Forward Current - (A) | 22.2 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 74000 |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Peak Forward Voltage - (V) | 1.8@5A |
| Peak Non-Repetitive Surge Current - (A) | 59 |
| Peak Reverse Current - (uA) | 33 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | 1200 |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 5A |
| Mounting Type | SMD |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252-2) |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
