BSS169IXTSA1, MOSFET, Single - N-Channel, 100V, 190mA, SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 340 руб.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12Ом
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 2.9Ом |
| Power Dissipation | 360мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 190мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 360мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.9Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Depletion |
| Maximum Continuous Drain Current | 190 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Series | BSS169I |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet BSS169IXTSA1
pdf, 1528 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
