DMN2065UW-7, Транзистор: N-MOSFET
![Фото 1/4 DMN2065UW-7, Транзистор: N-MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/308/DOC031308635.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/150/DOC032150505.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/308/DOC031308646.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/150/DOC032150513.jpg)
43 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
27 руб.
от 150 шт. —
23 руб.
от 500 шт. —
19.95 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 215 руб.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 700 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-323 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V |
Width | 1.35mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары