BSC052N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 95А, 83Вт, PG-TOSON-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
от 30 шт. —
303 руб.
от 100 шт. —
247.68 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой BSC052N08NS5ATMA1 от INFINEON отличается мощностью в 83 Вт, током стока 95 А и напряжением сток-исток 80 В. С минимальным сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0052 Ом и корпусом PG-TDSON-8, этот N-MOSFET предназначен для SMD монтажа, что делает его идеальным выбором для эффективного управления мощностью в различных областях применения. Продукт BSC052N08NS5ATMA1 сочетает в себе высокую производительность и надежность, что делает его предпочтительным компонентом для разработчиков. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 95 |
| Напряжение сток-исток, В | 80 |
| Мощность, Вт | 83 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0052 |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Fall Time | 5 ns |
| Forward Transconductance - Min | 38 S |
| Height | 1.27 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 95 A |
| Length | 5.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | BSC052N08NS5 SP001232632 |
| Pd - Power Dissipation | 83 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 32 nC |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.6 mOhms |
| Rise Time | 7 ns |
| RoHS | Details |
| Series | OptiMOS 5 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Unit Weight | 0.01787 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
| Width | 5.15 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 95 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0052 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1315 КБ
Документация
pdf, 1214 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
