DMC2004DWK-7, Транзистор МОП n/Транзистор P-МОП, полевой, полевой, -20/20В, -540/430мА
![Фото 1/3 DMC2004DWK-7, Транзистор МОП n/Транзистор P-МОП, полевой, полевой, -20/20В, -540/430мА](https://static.chipdip.ru/lib/903/DOC043903666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639399.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/545/DOC034545609.jpg)
39 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
24 руб.
от 150 шт. —
20 руб.
от 500 шт. —
16.33 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 195 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой DMC2004DWK-7 от DIODES INCORPORATED является высококачественным компонентом для современных электронных схем. Монтаж данного транзистора осуществляется с использованием SMD технологии, что гарантирует его легкую интеграцию в печатные платы. Ток стока достигает 0,54 А, напряжение сток-исток составляет 20 В, а мощность - 0,25 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,55 Ом. Этот компонент представляет собой N+P-MOSFET транзистор в корпусе SOT363, что делает его идеальным выбором для различных областей применения, где требуются компактные и эффективные решения. Код товара DMC2004DWK7 должен стать ключевым при выборе для проектов, требующих надежных и долговечных компонентов. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N+P-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 0.54 |
Напряжение сток-исток, В | 20 |
Мощность, Вт | 0.25 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.55 |
Корпус | SOT363 |
Технические параметры
Case | SOT363 |
Drain current | 0.43/-0.54A |
Drain-source voltage | 20/-20V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate-source voltage | ±8V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Kind of transistor | complementary pair |
Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 0.55/0.9Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 0.25W |
Type of transistor | N/P-MOSFET |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N, P |
Maximum Continuous Drain Current | 430 mA, 540 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω, 900 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 250 mW |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-363 |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Material | Si |
Width | 1.35mm |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары