2SC4116-GR,LXHF, Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5984 шт., срок 7-9 недель
97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 97 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
2SA/2SC Bipolar TransistorsToshiba 2SA/2SC Bipolar Transistors are AEC-Q101 qualified and designed for low-frequency, AM, and audio frequency general purpose amplifier applications. The 2SA/2SC Transistors feature high voltage, high collector current, high hFE, and excellent hFE linearity. The Toshiba 2SA/2SC Bipolar Transistors are available in a small SSM, USM, or S-Mini package.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 150 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 70 at 2 mA, 6 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | USM-3 |
| Part # Aliases: | 2SC4116-GR, LXHF(B |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification: | AEC-Q200 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 470 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
