SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

56 руб.

Мин. кол-во для заказа 9 шт.

от 30 шт. — 46 руб.

от 60 шт. — 44 руб.

от 119 шт. — 42 руб.

Добавить в корзину 9 шт. на сумму 504 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8020172318

Артикул: SI1308EDL-T1-GE3

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4A

Корпус	sot-323
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	1.5 A
Maximum Drain Source Resistance	185 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	400 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.6V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	1.4 nC @ 4.5 V
Width	1.35mm
Brand:	Vishay Semiconductors
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	8 ns
Id - Continuous Drain Current:	1.5 A
Manufacturer:	Vishay
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOT-323-3
Part # Aliases:	SI1308EDL-T1-BE3 SI1304BDL-T1-GE3 SI1300BDL-T1-GE3
Pd - Power Dissipation:	400 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	2.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	132 mOhms
Rise Time:	9 ns
Series:	SI1
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	TrenchFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	8 ns
Typical Turn-On Delay Time:	2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V
Вес, г	0.034