FP15R12W1T4PBPSA1 IGBT Module, 15 A 1200 V EASY1B

Фото 1/3 FP15R12W1T4PBPSA1 IGBT Module, 15 A 1200 V EASY1B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
17 600 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 17 600 руб.
Номенклатурный номер: 8020197509
Артикул: FP15R12W1T4PBPSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EasyPIM three phase input rectifier power integrated modules IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7 technology.

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 15 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Number of Transistors 7
Package Type EASY1B
Base Product Number FP15R12 ->
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Three Phase Bridge Rectifier
Input Capacitance (Cies) @ Vce 890pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C
Package Tray
Package / Case Module
Power - Max 20mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EasyPIMв„ў 1B ->
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 15А
DC Ток Коллектора 15А
Выводы БТИЗ Press Fit
Количество Выводов 23вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции EasyPIM
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 763 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов