IXYN110N120C4, IGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT SOT227B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 660 руб.
от 10 шт. —
8 210 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 660 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Источник питания переменного/постоянного токаИсточник питания переменного/постоянного тока от компании Littelfuse часто используется в электронных устройствах. Компоненты этих блоков питания должны быть надежными и долговечными, и компания Littelfuse предлагает ряд продуктов, отвечающих этим требованиям. Этот портфель компонентов охватывает защиту от перегрузки по току и перенапряжению, силовой каскад и защиту выхода. Типичные области применения источников питания переменного/постоянного тока Littelfuse включают автомобильную, солнечную, промышленную, производственную и другие области.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.4 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 220 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 220 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Screw Mounts |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 830 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | 1200V XPTTM Gen 6 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | XPT |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 841 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
