ISZ0702NLSATMA1, N-Channel MOSFET, 86 A, 60 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 ISZ0702NLSATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 125 шт. —
356 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 400 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 60 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 86 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0045 O, 0.0056 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOS 5 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1200 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
