BSH103BKR

BSH103BKR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
210 руб.
от 2 шт.140 руб.
от 10 шт.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8020248525
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Электроэлемент
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Surface Mount

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.23Ом
Power Dissipation 480мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции Trench
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 4.5В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 480мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.23Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Datasheet BSH103BKR
pdf, 283 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов