BSH103BKR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 2 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Surface Mount
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.23Ом |
Power Dissipation | 480мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Trench |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 1А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Рассеиваемая Мощность | 480мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.23Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet BSH103BKR
pdf, 283 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов