SI2337DS-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 80В 2.2A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

92 руб.

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 28 шт. — 74 руб.

от 56 шт. — 69 руб.

от 111 шт. — 65 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 460 руб.

Номенклатурный номер: 8020308446

Артикул: SI2337DS-T1-GE3

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой P-канальный 80В 2.2A

Корпус	SOT23-3
Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.216Ом
Power Dissipation	760мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	80В
Непрерывный Ток Стока	2.2А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	760мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.216Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-236
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	1.75 A
Maximum Drain Source Resistance	303 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	80 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2.5 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-50 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 10 V
Width	1.4mm
Вес, г	0.04