IXFH26N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 26A 400Вт 0,23Ом TO247AD

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 660 руб.

от 10 шт. — 1 360 руб.

от 30 шт. — 1 230 руб.

от 90 шт. — 992.35 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 660 руб.

Номенклатурный номер: 8020311296

Артикул: IXFH26N50P

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	26 A
Maximum Drain Source Resistance	230 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	400 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Series	HiperFET, Polar
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	60 nC @ 10 V
Width	5.3mm
Вес, г	10