DMN6075SQ-13, MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 10K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
66 руб.
от 1000 шт. —
39.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.3 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 85 mOhms |
| Rise Time: | 4.1 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.069Ом |
| Power Dissipation | 800мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 800мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.069Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
