BSL215CH6327, 20V 1.5A 500mW 140mOhm@4.5V,1.5A 1PCSN-Channel& 1PCSP-Channel TSOP-6-1.5mm MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 30 шт. —
98 руб.
от 100 шт. —
80.02 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 1.4 ns, 14 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S, 4.5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A, 1.5 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Part # Aliases: | SP001101000 BSL215CH6327XTSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 73 pC, 3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 108 mOhms, 102 mOhms |
| Rise Time: | 7.6 ns, 9.7 ns |
| Series: | BSL215 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.8 ns, 14.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.1 ns, 6.7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV, 900 mV |
| Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 378 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
