AIKQ120N75CP2XKSA1, AIKQ120N75CP2XKSA1 IGBT, 120 A 750 V TO247PLUS

Фото 1/2 AIKQ120N75CP2XKSA1, AIKQ120N75CP2XKSA1 IGBT, 120 A 750 V TO247PLUS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 600 руб.
от 10 шт.4 540 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 600 руб.
Номенклатурный номер: 8020477245
Артикул: AIKQ120N75CP2XKSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon Automotive IGBT discrete is an EDT2 IGBT with a co-packed diode in the TO247PLUS package, the EDT2 technology has an extremely tight parameter distribution and a positive thermal coefficient, this enables easy paralleling operation, providing system flexibility and power scalability, and the 750 V EDT technology significantly improves energy efficiency and cooling efforts for high voltage automotive applications by enabling battery voltages up to 470V and safe fast switching due to increased overvoltage margins, thus enabling high performant inverter systems.

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 750 V
Maximum Continuous Collector Current 120 A
Maximum Gate Emitter Voltage 15V
Maximum Power Dissipation 170 W
Number of Transistors 3
Package Type TO247PLUS
Collector Emitter Saturation Voltage 1.3В
Collector Emitter Voltage Max 750В
Continuous Collector Current 150А
Power Dissipation 682Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-247 Plus
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 750 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.3 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 150 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 240
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Tube
Part # Aliases: AIKQ120N75CP2 SP005416548
Pd - Power Dissipation: 682 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1939 КБ
Datasheet
pdf, 1457 КБ
Datasheet
pdf, 1451 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов