TK10A80E,S4X(S, TO-220SIS MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1475 шт., срок 6 недель
300 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220SIS |
| Pin Count | 3 |
| Series | TK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Width | 4.5mm |
| Вес, г | 2.41 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TK10A80E,S4X
pdf, 219 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SJ449, Транзистор, Р-канал, [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC002975537.jpg)
![2SK2313, Транзистор N-MOSFET 60В 60А 150Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![2SK117-GR, Транзистор, N-канал [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/235/DOC000235967.jpg)
![2SK1117, Транзистор N-MOSFET 600В 6А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2SK2056, Транзистор, N-канал [2-10R1A / TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
