2SC2383P-O-TP, Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power Bipolar Transistors

120 руб.
от 10 шт.100 руб.
от 100 шт.71 руб.
от 500 шт.52.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Номенклатурный номер: 8020549648
Артикул: 2SC2383P-O-TP

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Micro Commercial Components(MCC)
Collector- Base Voltage VCBO: 160 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100
DC Current Gain hFE Max: 320
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gain Bandwidth Product fT: 20 MHz
Manufacturer: Micro Commercial Components(MCC)
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT89-3
Packaging: Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: 2SC2
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1054 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов