SI7489DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

260 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 11 шт. — 220 руб.

от 22 шт. — 196 руб.

от 43 шт. — 188 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 520 руб.

Номенклатурный номер: 8020556324

Артикул: SI7489DP-T1-GE3

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A

Корпус	PowerPAKВR SO-8
Brand:	Vishay Semiconductors
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	100 ns
Forward Transconductance - Min:	38 S
Id - Continuous Drain Current:	28 A
Manufacturer:	Vishay
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	PowerPAK-SO-8
Part # Aliases:	SI7489DP-GE3
Pd - Power Dissipation:	83 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	106 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	41 mOhms
Rise Time:	20 ns, 160 ns
Series:	SI7
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	TrenchFET
Transistor Polarity:	P-Channel
Transistor Type:	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	100 ns, 110 ns
Typical Turn-On Delay Time:	15 ns, 42 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	28 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	PowerPAK SO-8
Вес, г	0.5066